不久前，IBM发布了2nm关键技术，令人深感振作。尽管颠覆性创新速率变缓，但硅晶片缩微的市场前景仍然宽阔。

　　但是，2nm以后就是1.5nm、1nm，单晶硅片碰触物理学極限。

　　日前，台大、台积电和麻省理工一同公布科研成果，首次明确提出运用半金属材料Bi做为二维材料的触碰电级。它能够 大幅度降减少电阻器并提升电流量，使其效率匹敌硅材料，有利于半导体业解决将来1纳米世世代代的挑戰。

　　毕业论文中写到，现阶段硅基半导体材料早已推动到5nm和3nm，企业总面积容下的晶体三极管总数靠近硅材料物理学極限，效率没法逐渐明显提高。先前，二维材料被业界寄予希望，却自始至终制约于高电阻器、低电流量等难题。

　　本次三方协作中，麻省理工是半金属铋电级发现人，台积电将铋(Bi)堆积制造开展提升，台大精英团队应用氦电子束影视系统软件(Helium-ion beam lithography)将元器件安全通道取得成功变小至纳米规格，总算做好了，用时长达一年半的時间。

　　4月中下旬的情况下台积电升级了其制造加工工艺路线地图，称其4纳米加工工艺集成ic将在2021年底进到“风险性生产制造”环节，并于2022年完成批量生产；3纳米商品预估在2022年第三季度建成投产， 2纳米加工工艺已经开发设计中。

（文章内容来源于：新浪网）